Ученая степень, ученое звание, должность:
доктор физико-математических наук, профессор кафедры физики твердого тела и наноструктур Воронежского государственного университета

Научная специальность по диплому доктора наук:
01.04.10 – физика полупроводников

Основные биографические данные:
1946 – год рождения
1969 – окончание физического факультета Воронежского госуниверситета
1978 – защита кандидатской диссертации по физико-математическим наукам
1994 – защита докторской диссертации по физико-математическим наукам
1999 – присвоение ученого звания профессора
2007 – член-корреспондент Российской Академии Естественных Наук
2008 – почетный работник высшего профессионального образования РФ

Область научных интересов:
Атомное и электронное строение; Физика конденсированного состояния; полупроводники и гетероструктуры, Тонкие пленки, наноматериалы и наноструктуры; Методы диагностики твердых тел; Ультрамягкая рентгеновская спектроскопия; Дифрактометрия; Синхротронное излучение.

Количество опубликованных работ:
более 300

Наиболее значимые публикации:

  1. X-ray absorption near-edge structure anomalous behaviour in structures with buried layers containing silicon nanocrystals // Journal of Synchrotron Radiation. 2014. V. 21. P. 209 - 214. / Co-authors: V.A. Terekhov, D.I. Tetelbaum, D.E. Spirin, K.N. Pankov, A.N. Mikhailov, A.I. Belov, A.V. Ershov and S.Yu. Turishchev
  2. Особенности электронной и атомной структуры нанокристаллов кремния в матрице алюминия // ФТТ. 2014. Т. 56. № 12. С. 2452 – 2456. / В соавт. с С.К. Лазаруком, Д.С. Усольцевой, А.А. Лешоком, П.С. Кацубой, И.Е. Заниным, Д.Е. Спириным, А.А. Степановой, С.Ю. Турищевым
  3. Влияние имплантации углерода на фазовый состав пленок SiO2:nc-Si/Si по данным ближней тонкой структуры рентгеновского поглощения // Конденсированные среды и межфазные границы. 2013. Т. 15. № 1. С. 48 - 53. В соавт. с Д.И. Тетельбаумом, С.Ю. Турищевым, Д.Е. Спириным, К.Н. Панковым, Д.Н. Нестеровым, А.Н. Михайловым, А.И. Беловым, А.В. Ершовым.
  4. Синхротронные исследования многослойных нанопериодических структур Si/Mo/Si...c-Si (100) // ФТТ. 2013. Т. 55. № 3. С. 577 - 584. / В соавт. с Э.П. Домашевской, С.Ю. Турищевым, Д.А. Коюдой, Н.А. Румянцевой, Ю.П. Першиным, В.В. Кондратенко, N. Appathurai.
  5. Surface modification and oxidation of Si wafers after low energy plasma treatment in hydrogen, helium and argon // Materials Science in Semiconductor Processing. 2013. V. 16. Iss. 6. P. 1377 - 1381 / Co-authors: S.Yu. Turishchev, E.V. Parinova, O.V. Korolik, A.V. Mazanik, A.K. Fedotov.
  6. Synchrotron investigation of the multilayer nanoperiodical Al2O3/SiO/Al2O3/SiO:Si structure formation / Co-authors: S.Yu. Turishchev, D.A. Koyuda, K.N. Pankov, E.P. Domashevskaya, A.V. Ershov, I.A. Chugrov and A.I. Mashin // Surface and Interface Analysis. 2012. 44. P. 1182 – 1186.
  7. Interference phenomena of synchrotron radiation in TEY spectra for silicon-on-insulator structure // Journal of Synchrotron Radiation. 2012. V. 19. P. 609 - 618. / Co-authors: M.A. Andreeva, E.P. Domashevskaya, E.E. Odintsova, V.A. Terekhov, S.Yu. Turishchev
  8. Интерференция синхронного излучения перед краем поглощения кремния в структурах кремний-на-изоляторе // Поверхность. Рентгеновские, синхронные и нейтронные исследования. 2011. № 2. С. 42-50. / В соавт. с Э.П. Домашевской, С.Ю. Турищевым.
  9. XPS исследования особенностей окисления наноразмерных пленок Ni/Si(100) // Журн. структурной химии: Приложение. 2011. Т. 52. С. 119-125. / В соавт. с Э.П. Домашевской, С.В. Рябцевым, А.С. Леньшиным, Ф.М. Чернышовым, А.Т. Казаковым, А.В. Сидашовым
  10. Особенности электронно-энергетического строения поверхностных слоев пористого кремния, сформированного на подложках p-типа // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. 2011. Т. 77. В. 1. С. 42 - 48. / В соавт. с Э.П. Домашевской, С.Ю. Турищевым, Д.А. Ховивым, Е.В. Париновой, В.А. Скрышевским, И.В. Гаврильченко.
  11. Structure of the near-surface layer of Cz Si wafers subjected to low-temperature low-energy ion-beam treatment // Phys. Status Solidi C. 2011. V. 8/ No. 3,/ P. 739–742. / Co-authors: A. Fedotov, I. Ivashkevich, S. Kobeleva, O. Korolik, A. Mazanik, N. Stas'kov and S. Turishchev
  12. Синхротронные исследования особенностей электронной и атомной структуры поверхностных слоев пленок оксида кремния, содержащих нанокристаллы кремния // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2011. No. 10. С. 46–55. / В соавт. с С.Ю. Турищевым, К.Н. Панковым, И.Е. Заниным, Э.П. Домашевской, Д.И. Тетельбаумом, А.Н. Михайловым, А.И. Беловым, Д.Е. Николичевым
  13. Synchrotron Investigation of the Multilayer Nanoperiodical Al2O3/SiO/Al2O3/SiO...Si Structure Formation // SURFACE AND INTERFACE ANALYSIS. 2012. V. 44. No 8. SI. P. 1182-1186. Co-authors: Turishchev S. Yu., Koyuda D. A., et al.
  14. Surface Modification and Oxidation of Si Wafers after Low Energy Plasma Treatment in Hydrogen, Helium and Argon // MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING. 2013. V. 16. No 6. P. 1377-1381. Co-authors: Turishchev S. Yu., Parinova E. V., et al.
  15. X-ray Absorption Near-Edge Structure Anomalous Behaviour in Structures with Buried Layers Containing Silicon Nanocrystals // JOURNAL OF SYNCHROTRON RADIATION. 2014. V. 21. P. 209-214. Co-authors: Tetelbaum D. I., Spirin D. E., et al.
  16. Peculiarities of the Electronic Structure and Phase Composition of Amorphous (SiO2) (x) (a-Si: H) (x-1) Composite Films According to X-ray Spectroscopy Data // TECHNICAL PHYSICS LETTERS. 2015. V. 41. No 10. P. 1010-1012. Co-authors: Parinova E. V., Domashevskaya E. P., et al.
  17. Composition and Optical Properties of Amorphous a-SiOx:H Films with Silicon Nanoclusters // SEMICONDUCTORS. 2016. V. 50. No 2. P.  212-216. Co-authors: Terukov E. I., Undalov Yu. K., et al.
  18. Electronic Structure and Phase Composition of Dielectric Interlayers in Multilayer Amorphous Nanostructure [(CoFeB)(60)C-40/SiO2](200) // PHYSICS OF THE SOLID STATE. 2017. V. 59. No 1. P. 168-173.  Co-authors: Domashevskaya E. P., Builov N. S., et al.
  19. Formation of Silicon Nanocrystals in Multilayer Nanoperiodic a-SiOx/Insulator Structures from the Results of Synchrotron Investigations // SEMICONDUCTORS. 2017. V. 51. No 3. P. 349-352. Co-authors: Turishchev S. Yu., Koyuda D. A., et al.
  20. Electronic Structure and Phase Composition of Silicon Oxide in the Metal-Containing Composite Layers of a [(Co40Fe40B20)(34)(SiO2)(66)/C](46) Multilayer Amorphous Nanostructure with Carbon Interlayers // INORGANIC MATERIALS. 2017. V. 53. No. 9. P. 930-936. Co-authors: Domashevskaya E. P., Builov N. S., et al.

Количество подготовленных кандидатов и докторов наук:
1 доктор наук и 6 кандидатов наук

Читаемые курсы:
Физические основы электроники; Физические основы микро- и нанотехнологий; Наноэлектроника; Диагностика наносистем; Рентгеновская и электронная спектроскопия

Организационная и общественная работа:

  1. Заместитель председателя диссертационного совета Д 212.038.06.
  2. Член диссертационного совета Д 212.038.10.
  3. Член диссертационного совета Д 212.037.06.
  4. Член Ученого совета физического факультета ВГУ.
  5. Член редакционной коллегии журнала “Конденсированные среды и межфазные границы”.

Индекс Хирша (РИНЦ) – 12

Индекс Хирша (Web of Science) – 11

Индекс Хирша (Scopus) – 11

Контакты:
ftt@phys.vsu.ru
+7(4732) 208546