Ученая степень, ученое звание, должность:
доктор физико-математических наук, профессор, заведующий кафедрой физики твердого тела и наноструктур Воронежского государственного университета

Научная специальность по диплому доктора наук:
01.04.07 – физика конденсированного состояния

Основные биографические данные:
1935 – год рождения
1957 – окончание физического факультета Воронежского госуниверситета
1967 – защита кандидатской диссертации по физико-математическим наукам
1979 – защита докторской диссертации по физико-математическим наукам
1983 – присвоение ученого звания профессора
1999 – академик Российской Академии Естественных Наук
2003 – Заслуженный деятель науки Российской Федерации

Область научных интересов:
атомное и электронное строение; физика конденсированного состояния; полупроводники и гетероструктуры; тонкие пленки, наноматериалы и наноструктуры; методы диагностики твердых тел; ультрамягкая рентгеновская спектроскопия; дифрактометрия; синхротронное излучение

Количество опубликованных работ:
более 500

Наиболее значимые публикации:

  1. Твердотельные сенсорные структуры на кремнии // Учеб. пособие, 010 УДК 621.315.592:538.91:54,Воронеж : ИПЦ ВГУ / 2010. 244 с. В соавт. с Е.А. Тутовым, С.В. Рябцевым, А.В. Шапошником.
  2. Методы исследования атомной структуры и субструктуры материалов. Учеб. пособие, 2-е изд. перераб. и доп. // Изд. ВГТУ, Воронеж. 2003. 484с. В соавт. с В.М. Иевлевым, А.Т. Косиловым, Ю.К. Ковнеристым и др.
  3. Физические методы исследования тонких пленок и поверхностных слоев. Учеб.пособие // Изд. ВГУ. Воронеж. 2001. 144 с. В соавт. с В.И. Кукуевым и И.Я. Миттовой.
  4. Энциклопедия технологии полупроводниковых материалов. Том 1. Электронная структура и свойства полупроводников. Перевод с англ. под ред. Э.П. Домашевской. Воронеж. Изд –во Водолей. 2004. 982 с.
  5. Энциклопедия технологии полупроводниковых материалов. Том II. Технологические процессы. Перевод с англ. под ред. Э.П. Домашевской. Воронеж. Изд –во Водолей. 2011. 919 с.
  6. Исследование поверхностных дефектов в нитевидных кристаллах SnO2методами XANES и XPS // ФТТ. 2015. Т. 57/ № 1. С. 145 – 152. В соавт. с О.А. Чувенковой, С.В. Рябцевым, Ю.А. Юраковым, А.Е. Поповым, Д.А. Коюдой, Д.Н. Нестеровым, Д.Е. Спириным, Р.Ю. Овсянниковым, С.Ю. Турищевым.
  7. Теоретическое и экспериментальное исследование электронной структуры диоксида олова // ФТТ. 2014. Т. 56. № 9. С. 1690 – 1695. В соавт. с С.И. Курганским, М.Д. Манякиным, О.И. Дубровским, О.А. Чувенковой, С.Ю. Турищевым.
  8. Синхротронные исследования нитевидных кристаллов SnO2 // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2014. Т. 2. С. 18 – 24. В соавт. с О. А. Чувенковой, С. В. Рябцевым, Д. В. Высоцким, А. Е. Поповым, Ю. А. Юраковым, О. Ю. Вилковым, Р. Овсянниковым, Н. Аппатураем, С. Ю. Турищевым.
  9. XPS-исследования межатомных взаимодействий в поверхностном слое многослойных наноструктур (Co45Fe45Zr10/α-Si)40 и (Co45Fe45Zr10/SiO2)32 // ФТТ. 2014. Т. 56. № 11. С. 2219 – 2230. В соавт. с А.В. Чернышевым, С.Ю. Турищевым, Ю.Е. Калининым, А.В. Ситниковым, Д.Е. Марченко.
  10. Electronic Structure of Undoped and Doped SnOx Nanolaye //: THIN SOLID FILMS. 2013. V. 537 P. 137-144. Co-authors: O.A. Chuvenkova, S.V. Ryabtsev, Y.A .Yurakov,. V.M. Kashkarov, A.V. Shchukarev, S.Y. Turishchev.
  11. XANES Investigations of Interatomic Interactions in Multilayered Nanostructures (Co45Fe45Zr10/α-Si)40 and (Co45Fe45Zr10/SiO2)32.//  PHYSICS OF THE SOLID STATE. 2013. V. 55. Iss. 6. P. 1294-1303. Co-authors: A.V. Chernyshev, S.Y. Turishchev, Y.E. Kalinin, A.V. Sitnikov, D.E. Marchenko.
  12. Structural Features and Surface Morphology of AlxGayIn1-x-yAszP1-z/GaAs(100) Heterostructures // APPLIED SURFACE SCIENCE. 2013. V. 267. P. 181-184. Co-authors: P.V. Seredin A.V. Glotov, E.P. Domashevskaya, I.N. Arsentyev, D.A Vinokurov, I.S. Tarasov.
  13. Synchrotron Investigations of Si/Mo/ c-Si (100) Multilayer Nanoperiodic Structures // PHYSICS OF THE SOLID STATE. 2013. V. 55. Iss. 3. P. 634-641. Co-authors: V.A. Terekhov, S.Y. Turishchev, D.A. Koyuda, N.A. Rumyantseva, Y.P. Pershin, V.V. Kondratenko, N. Appathura.
  14. Investigations of Porous Silicon with Deposited 3D-Metals by Auger- and Ultrasoft X-Ray Emission Spectroscopy // JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY. 2012. V. 12. Iss. 11. P. 8806-8810. Co-authors: A.S. Lenshin, V.M.Kashkarov, I.N. Shabanova, N.A. Terebova.
  15. Interference Phenomena of Synchrotron Radiation in TEY Spectra for Silicon-on-Insulator Structure // Journal of Synchrotron Radiation. 2012. V. 19. P. 609 – 618. Co-authors: M.A. Andreeva, E.E. Odintsova, V.A. Terekhov, S.Yu. Turishchev.
  16. Atomic and Electronic Structure of Amorphous and Nanocrystalline Layers of Semi-Insulating Silicon Produced by Chemical-Vapor Deposition at Low Pressures // JOURNAL OF SURFACE INVESTIGATION. 2015. V. 9. No 6. P. 1228-1236. Co-authors: Terekhov V. A., Turishchev S. Yu., et al.
  17. Investigations of the Composition of Macro-, Micro- and Nanoporous Silicon Surface by Ultrasoft X-ray Spectroscopy and X-ray Photoelectron Spectroscopy // APPLIED SURFACE SCIENCE. 2015. V. 359. P. 550-559. Co-authors: Lenshin A. S., Kashkarov V. M., et al.
  18. Deep Centers at the Interface in In2x Ga 2(1-x)Te3/InAs and In2Te3/InAs Heterostructures // SEMICONDUCTORS. 2016. V. 50. No 3. P. 309-313. Co-authors:  Mikhailyuk E. A., Prokopova T. V., et al.
  19. The Electronic Structure Peculiarities of a Strained Silicon Layer in Silicon-on-Insulator: Experimental and Theoretical Data // APPLIED SURFACE SCIENCE. 2016. V. 382. P. 331-335. Co-authors: Terekhov V. A., Nesterov D. N.,et al.
  20. Composition of Nanocomposites Based on Thin Layers of Tin on Porous Silicon Formed by Magnetron Sputtering // PHYSICA B-CONDENSED MATTER. 2017. V. 504. P. 1-8. Co-authors: Lenshin A. S., Kashkarov V. M., et al.
  21. Specific Features of the Atomic Structure of Metallic Layers of Multilayered (CoFeZr/SiO2)(32) and (CoFeZr/a-Si)(40) Nanostructures With Different Interlayers // PHYSICS OF THE SOLID STATE. 2017. V. 59. No 2. P. 385-391. Co-authors: Guda A. A., Chernyshev A. V.,et al.
  22. Formation of Silicon Nanocrystals in Multilayer Nanoperiodic a-SiOx/Insulator Structures from the Results of Synchrotron Investigations // SEMICONDUCTORS. 2017. V. 51. No 3. P. 349-352. Co-authors: Turishchev S. Yu., Terekhov V. A., Koyuda D. A., et al.
  23. Electronic Structure and Phase Composition of Silicon Oxide in the Metal-Containing Composite Layers of a [(Co40Fe40B20)(34)(SiO2)(66)/C](46) Multilayer Amorphous Nanostructure with Carbon Interlayers // INORGANIC MATERIALS. 2017. V. 53. No. 9. P. 930-936. Co-authors: Builov N. S., Terekhov V. A., et al.

Количество подготовленных кандидатов и докторов наук:
12 докторов наук и 40 кандидатов наук

Читаемые курсы:
Физика конденсированного состояния; Кристаллография и кристаллофизика; Электронное строение твердых тел

Организационная и общественная работа:

  1. Заместитель председателя диссертационного совета Д 212.038.10.
  2. Заместитель председателя диссертационного совета Д 212.037.06.
  3. Член диссертационного совета Д 212.038.06.
  4. Член Ученого совета ВГУ
  5. Член Ученого совета физического факультета ВГУ
  6. Член редакционной коллегии журнала “Конденсированные среды и межфазные границы”
  7. Член Учебно-методического объединения университетов России по секции «Химия, физика и механика веществ и материалов» при МГУ
  8. Член Учебно-методического совета по техническим направлениям при СПбГЭУ «ЛЭТИ»

Индекс Хирша (РИНЦ) – 20

Индекс Хирша (Web of Science) – 15

Индекс Хирша (Scopus) – 15

Контакты:
ftt@phys.vsu.ru
+7(473) 2208363